Intel宣布全新混合结合封装:凸点密度猛增25倍

来源:苏州新闻网 发布时间:2020-08-15 01:33:30

    在Intel的六大技术支柱中,封装技术和制程工艺并列,是基础中的基础,这两年Intel也不断展示自己的各种先进封装技术,包括Foveros、Co-EMIB、ODI、MDIO等等。

    今天,Intel又宣布了全新的混合结合(Hybrid Bonding),可取代当今大多数封装技术中使用的热压结合(thermocompression bonding)。

    

    据介绍,混合结合技术能够加速实现10微米及以下的凸点间距(Pitch),提供更高的互连密度、更小更简单的电路、更大的带宽、更低的电容、更低的功耗(每比特不到0。05皮焦耳)。

    Intel目前的3D Foveros立体封装技术,可以实现50微米左右的凸点间距,每平方毫米集成大约400个凸点,而应用新的混合结合技术,不但凸点间距能缩小到1/5,每平方毫米的凸点数量也能超过1万,增加足足25倍。

    采用混合结合封装技术的测试芯片已在2020年第二季度流片,但是Intel没有披露未来会在什么产品上商用。

    

    

    

  Foveros封装的Lakefield